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CMT01N60N92

产品描述power field effect transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小243KB,共8页
制造商虹冠电子(Champion)
电源控制管理IC芯片是提升电子设施及产品省电效能的首要关键。拥有美国硅谷最先进技术作为后盾的虹冠电子,投入AC-DC模拟电源IC专业设计多年,始终秉持落实节能减碳,为绿化世界而奋斗的理念,让节能省电的效能,彻底在全球的生活中实现。
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CMT01N60N92概述

power field effect transistor

CMT01N60N92规格参数

参数名称属性值
厂商名称虹冠电子(Champion)
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Codeunknown
雪崩能效等级(Eas)20 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)1 A
最大漏极电流 (ID)1 A
最大漏源导通电阻8 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)9 A
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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